STP24N65M2

STP24N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括650V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下达16A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术亮点在于通过MDmesh M2技术实现了优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为230毫欧（@8A），有效降低了导通损耗。同时，29nC（@10V）的栅极电荷（Qg）和适中的输入电容有助于实现快速的开关切换并减少驱动需求。这些特性使其成为适用于高效开关电源、功率因数校正（PFC）及照明驱动等高压、中功率应用场景的可靠选择。

• 型号:STP24N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 16A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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