STP24NF10

STP24NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心参数包括100V的漏源电压（Vdss）和26A（Tc）的连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。

其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡：在10V Vgs、12A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为60毫欧，有效降低了传导损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）低至41nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及各类功率转换电路效率的可靠选择。

• 型号:STP24NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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