STP260N6F6

STP260N6F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于结合了高电流容量与极低的导通损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为3毫欧（@60A），连续漏极电流（I_D）高达120A，最大功率耗散为300W。

该器件基于STripFET VI和DeepGATE技术，具备60V的漏源电压（V_DSS）和±20V的栅源电压（V_GS）耐受能力。其较低的栅极电荷（Q_g）有助于优化开关性能，宽工作结温范围（-55°C ~ 175°C）则确保了环境适应性。这些参数使其成为高效率、高功率密度电源和电机驱动应用的理想选择。

• 型号:STP260N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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