STP265N6F6AG

STP265N6F6AG是ST意法半导体基于STripFET F6技术开发的N沟道功率MOSFET，符合AEC-Q101汽车级标准。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力，在10V栅极驱动下，R_DS(on)最大值仅为2.85mΩ @ 60A，显著降低了传导损耗。

其电气规格突出，具备60V的漏源电压（V_dss）和高达180A（T_c=25°C）的连续漏极电流，最大功率耗散为300W。优化的栅极电荷（Q_g）和宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），确保了高效、可靠的开关性能，适用于高要求的功率开关场景。

• 型号:STP265N6F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.85 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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