STP26N60DM6

STP26N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM6产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和18A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在MDmesh DM6超级结技术带来的优异性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至195毫欧（@9A），显著降低了导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为24nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性共同指向更高的系统效率和功率密度。

该器件设计稳健，栅源电压可承受±25V，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于工业电源、电机驱动、UPS等对效率和可靠性要求较高的功率转换场景。

• 型号:STP26N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:195 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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