STP28N60DM2技术参数详情：
STP28N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与低至160毫欧（@10V， 10.5A）的导通电阻（RDS(on)）的出色结合，旨在显著降低功率开关应用中的导通损耗。
其21A（Tc）的连续漏极电流额定值和170W（Tc）的功率耗散能力，确保了强大的电流处理与散热性能。此外，优化的栅极电荷（Qg最大34nC）和输入电容特性有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗，使其成为高效率开关电源、电机驱动和工业电源系统中功率开关级的理想选择。
- 型号:STP28N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP28N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
