STP28N65M2

STP28N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至180毫欧（@10A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这得益于第二代MDmesh多漏极技术，旨在显著降低导通损耗。

在电气参数上，该MOSFET在25°C壳温下可承受20A的连续漏极电流，最大栅极电荷（Qg）为35nC，有助于实现高效的开关操作并降低驱动损耗。其工作结温高达150°C，最大功率耗散为170W（Tc），确保了在高温、高功率环境下的可靠性与长寿命。这些特性使其成为追求高效率和高功率密度设计的理想选择。

• 型号:STP28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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