STP2NK60Z

STP2NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和1.4A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过SuperMESH工艺实现了优异的性能平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为8欧姆，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg最大10nC）和输入电容确保了快速的开关特性，能有效提升高频开关电源的效率。这些特性使其成为中小功率离线式开关电源、LED驱动和辅助电源等应用的理想选择。

• 型号:STP2NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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