STP30N10F7

STP30N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）和高达32A（Tc）的连续漏极电流处理能力，适用于中高功率的开关应用。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压下，典型值仅为24毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。同时，较低的栅极电荷（最大19nC）确保了快速的开关瞬态响应，有利于在高频开关电源和电机驱动等场景中优化性能并减少开关损耗。

该器件设计稳健，栅源电压耐受范围达±20V，工作结温范围宽至-55°C至175°C，结合50W的功率耗散能力，为工程师在电源管理、电机控制和各类功率转换设计中提供了一个可靠且高效的解决方案。

• 型号:STP30N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 现在可以订购STP30N10F7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。