STP30N20技术参数详情：
STP30N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心电气规格为200V漏源电压和30A连续漏极电流，为中等功率开关应用提供了坚实的电压与电流处理能力。
其技术优势主要体现在低导通损耗与良好的开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻低至75毫欧（@15A），能显著降低导通状态下的功率耗散。同时，38nC的栅极电荷与合理的输入电容相结合，确保了器件具备较快的开关速度，有助于提升高频电源系统的整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换系统的理想选择。
- 型号:STP30N20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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