STP30NF10

STP30NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件设计用于100V电压等级的应用，在壳温条件下可支持高达35A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通损耗，典型导通电阻（Rds(on)）在特定条件下仅为45毫欧。

此外，该MOSFET具备优化的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）为55nC，有助于实现高效的开关操作并降低驱动需求。采用坚固的TO-220AB通孔封装，最大功耗为115W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了其在各种功率转换和电机控制应用中的高可靠性与耐用性。

• 型号:STP30NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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