STP30NM60ND

STP30NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和25A（Tc）的连续漏极电流，为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值为130毫欧（@12.5A），有助于降低通态损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值100nC @10V）有利于减少开关损耗并简化驱动设计。这些特性共同指向高效、可靠的功率转换解决方案。

该器件设计最大结温为150°C，典型应用于开关电源、电机驱动、UPS等领域的功率开关环节，旨在提升系统的整体能效与功率密度。

• 型号:STP30NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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