STP31N65M5技术参数详情：
STP31N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其650V的高漏源电压额定值与22A的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了优异的导通性能与开关特性的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至148毫欧，能显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（最大45nC）有助于提升开关速度并减少驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率与高可靠性的电源转换和电机控制应用的理想选择。
- 型号:STP31N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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