STP34NM60ND

STP34NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和29A（Tc）的连续漏极电流（Id）额定值，为工业级功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大仅为110毫欧，有效降低了导通损耗。同时，最大80.4nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，降低了开关损耗，这对于提升开关电源和电机驱动等应用的效率至关重要。器件支持高达150°C的结温工作，热性能可靠。

• 型号:STP34NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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