STP35N60DM2

STP35N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，核心特性包括600V的漏源电压（V_DSS）和28A的连续漏极电流（I_D）处理能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大仅为110mΩ，有效降低了导通损耗；同时，较低的栅极电荷（Q_g，最大54nC）和输入电容确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率和工作频率。器件采用TO-220封装，结温范围达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业级电源与驱动设计。

• 型号:STP35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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