STP36NF06技术参数详情：
STP36NF06是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件基于STripFET II技术，核心优势在于其优异的低导通电阻与快速开关性能的组合，其Rds(on)低至40毫欧（@15A, 10V），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为31nC，这有助于显著降低导通与开关损耗。
其电气规格包括60V的漏源电压（Vdss）和30A的连续漏极电流（Id），适用于中等功率等级的开关应用。该MOSFET设计用于驱动电压为10V的工况，并具备宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温），确保了在苛刻环境下的可靠运行。
- 型号:STP36NF06
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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