STP36NF06L技术参数详情：
STP36NF06L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其优异的导通性能与开关特性的结合。
其关键参数包括60V的漏源电压和30A的连续漏极电流承载能力。尤为突出的是，在10V栅极驱动下，其导通电阻低至40毫欧（@15A），能显著降低导通损耗。同时，其低栅极电荷（17nC @5V）确保了快速的开关响应，有助于提升系统效率与频率。
这些特性使其成为电机驱动、DC-DC转换、电源开关等中功率应用的理想选择，在要求高效率与可靠性的工业及消费电子领域具有广泛适用性。
- 型号:STP36NF06L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:660 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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