STP3LN80K5技术参数详情：
STP3LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）和2A连续漏极电流（Id），专为要求高耐压和高效能的功率开关应用而设计。
其技术亮点在于实现了低导通电阻（典型值3.25Ω @ 10V）与低栅极电荷（典型值2.63nC @ 10V）的优化组合。这一特性使得它在开关过程中兼具低导通损耗和快速的开关速度，有助于提升电源系统的转换效率并允许更高的工作频率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STP3LN80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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