STP3N80K5技术参数详情：
STP3N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心特性包括高达800V的漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的电压耐受基础。
其技术优势体现在优异的动态性能上，最大栅极电荷（Qg）仅为9.5nC，导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下为3.5欧姆，这共同实现了更低的开关损耗和导通损耗，有助于提升系统整体效率。该器件适用于需要高耐压和中等电流开关能力的各种功率转换场景。
- 型号:STP3N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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