STP3NK100Z

STP3NK100Z是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心特性包括高达1000V的漏源电压(Vdss)和2.5A的连续漏极电流(Id)承载能力，为应对严苛的电压环境提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态参数平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))典型值仅为6欧姆，有助于降低通态损耗；同时，极低的栅极电荷(Qg，最大18nC)确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗，有利于提升系统效率和工作频率。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功率耗散为90W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在多种应用环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STP3NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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