STP3NK50Z技术参数详情：
STP3NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和2.3A的连续漏极电流（Id），专为中高压、中低功率开关应用而优化。
其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）表现出色，同时极低的栅极电荷（Qg，最大15nC）有助于降低驱动需求并提升开关频率，从而优化电源系统的整体效率。这些特性使其成为离线式开关电源、LED驱动和各类适配器中主功率开关管的可靠选择。
- 型号:STP3NK50Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 1.15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP3NK50Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
