STP400N4F6技术参数详情：
STP400N4F6是ST意法半导体基于STripFET VI技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其极低的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）可低至1.7毫欧（@60A），同时具备40V的漏源电压和高达120A（Tc）的连续漏极电流处理能力，能显著降低功率应用中的传导损耗。
此外，该MOSFET采用TO-220封装，支持300W（Tc）的最大功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在宽温条件下的稳定性和可靠性。其设计平衡了低栅极电荷（Qg最大377nC @10V）与低导通电阻，适用于需要高效率和高电流密度的开关电源及电机驱动场景。
- 型号:STP400N4F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 60A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:377 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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