STP40N20

STP40N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件隶属于STripFET产品系列，核心电气规格包括200V的漏源击穿电压（Vdss）以及在25°C壳温下40A的连续漏极电流处理能力。

其关键性能优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至45毫欧（@20A），能显著降低功率损耗。同时，75nC的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关操作。器件设计坚固，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的功率开关应用环境。

• 型号:STP40N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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