STP40NF10技术参数详情：
STP40NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括100V的漏源电压（Vdss）和高达50A（Tc）的连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。
其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动、25A电流条件下，Rds(on)最大值仅为28毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，最大62nC的栅极电荷（Qg @ 10V）有助于实现高效的开关性能，减少驱动损耗并提升开关频率。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的电源转换与电机驱动应用的优选器件。
- 型号:STP40NF10
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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