STP42N65M5

STP42N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220-3通孔封装，核心优势在于其650V的高耐压与低至79mΩ（@10V, 16.5A）的导通电阻，这使其在高压开关应用中能显著降低传导损耗，提升系统效率。

此外，该MOSFET具备33A（T_C）的高连续电流能力和190W的功率耗散能力，结合优化的栅极电荷（典型100nC @10V）与输入电容，确保了快速、高效的开关性能。其结温最高可达150°C，提供了宽泛的工作温度范围和强大的可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和高效照明等应用的理想功率开关解决方案。

• 型号:STP42N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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