STP45N40DM2AG技术参数详情：
STP45N40DM2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心参数包括400V的漏源电压（Vdss）和38A的连续漏极电流（Id），提供了出色的功率处理能力。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）低至72毫欧（@19A），有效降低了传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为56nC，有利于实现高速开关并减少开关损耗。这些特性使其成为追求高效率与高可靠性的功率转换应用的理想选择。
- 型号:STP45N40DM2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 400V 38A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 19A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP45N40DM2AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
