STP45N60DM2AG技术参数详情：
STP45N60DM2AG是意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh DM2技术，在TO-220封装内集成了高性能的功率开关能力，其核心参数包括600V的漏源击穿电压和34A的连续漏极电流，为高功率密度应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的导通特性与开关性能的平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻低至93毫欧（典型值），能有效降低导通损耗。同时，56nC的低栅极电荷有助于简化驱动设计并提升开关速度，从而优化系统整体效率。这些特性使其成为汽车和工业领域中开关电源、电机驱动及功率转换模块的高可靠性选择。
- 型号:STP45N60DM2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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