STP4LN80K5

STP4LN80K5是ST意法半导体基于MDmesh K5技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心参数包括800V的漏源电压（V_DSS）和3A（T_C）的连续漏极电流，为高压离线式应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为2.6Ω @ 1A，而栅极总电荷（Q_g）低至3.7nC。这种低R_DS(on)与低Q_g的组合，使其在降低导通损耗的同时，也实现了快速的开关切换，从而显著提升开关电源的整体能效。器件采用TO-220封装，工作结温范围-55°C至150°C，适用于对效率和可靠性有严苛要求的工业与消费类电源设计。

• 型号:STP4LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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