STP4N52K3技术参数详情：
STP4N52K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于高达525V的漏源击穿电压（Vdss），为高压应用提供了坚实的可靠性保障。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2.6欧姆 @ 1.25A，配合低至11nC的栅极电荷（Qg），有效降低了传导损耗与开关损耗，提升了系统效率。其设计支持2.5A的连续漏极电流（Tc）和150°C的最高结温，适用于要求严苛的功率开关场景。
- 型号:STP4N52K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:525 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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