STP4NB50

STP4NB50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件具备500V的漏源击穿电压（V_DSS）和3.8A（T_C）的连续漏极电流能力，为核心卖点提供了坚实的基础。

其核心优势在于优化的动态与静态性能。器件在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值较低，配合仅21nC的栅极电荷（Q_g），有效降低了传导损耗和开关损耗，提升了电源系统的整体效率。高达80W的功率处理能力和150°C的结温上限，确保了其在高压开关电源、电机驱动及照明电子等应用中的可靠性与耐用性。

• 型号:STP4NB50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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