STP4NK50ZD技术参数详情：
STP4NK50ZD是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于高达500V的漏源电压（Vdss）与低至2.7欧姆的导通电阻（Rds(on)）的结合，能够在高压开关应用中有效降低导通损耗。
该器件具备快速的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）仅为12nC，有助于提升开关频率并减少驱动损耗。在壳温条件下，它支持3A的连续漏极电流和45W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。
- 型号:STP4NK50ZD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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