STP55NF06L技术参数详情：
STP55NF06L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件设计用于高效功率开关应用，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值）与优化的开关特性之间的平衡。
该MOSFET额定漏源电压（Vdss）为60V，在壳温25°C时可连续通过高达55A的电流，最大功耗为95W。其栅极驱动特性友好，标准10V驱动下即可获得极低的导通阻抗，同时栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些参数共同确保了器件在高电流开关应用中能够实现低传导损耗和高效率。
器件采用TO-220AB通孔封装，工作结温范围宽（-55°C至175°C），提供了可靠的机械连接和散热途径，适用于工业控制、电源转换及电机驱动等要求严苛的领域。
- 型号:STP55NF06L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 27.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.7V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:95W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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