STP5N60M2技术参数详情：
STP5N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-220封装，核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和3.7A的连续漏极电流（Id），为离线式电源应用提供了坚实的电压与电流处理能力。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。它具备较低的导通电阻（1.4欧姆 @ 1.85A, 10V）以最小化导通损耗，同时拥有极低的栅极电荷（4.5nC @ 10V）和输入电容（165pF @ 100V），这有助于实现高速开关并降低驱动要求，从而提升系统整体效率与功率密度。这些参数使其成为中功率开关电源设计的理想选择。
- 型号:STP5N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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