STP5N80K5技术参数详情：
STP5N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源击穿电压（Vdss）与优化的动态特性的结合，专为要求高耐压和高效开关的应用而设计。
其技术亮点包括极低的栅极电荷（Qg典型值5nC）和较低的导通电阻（Rds(on)典型值1.75Ω），这共同确保了在高压开关电路中实现更低的开关损耗和导通损耗。TO-220封装提供了良好的功率处理能力，最大耗散功率达60W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了应用的鲁棒性与可靠性。
- 型号:STP5N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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