STP5NK40Z技术参数详情：
STP5NK40Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心卖点在于高达400V的漏源击穿电压（Vdss）与低至1.8欧姆的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，这得益于其优化的高压技术，旨在降低高压应用中的导通损耗。
该器件在10V栅极驱动下，栅极电荷（Qg）典型值仅为17nC，有助于实现快速的开关切换，从而提升开关电源等应用的效率。其连续漏极电流额定值为3A（Tc），最大功耗45W（Tc），工作温度范围宽达-55°C至150°C（TJ），确保了在多种环境下的稳定运行能力。这些参数使其适用于需要高效高压开关的功率转换场景。
- 型号:STP5NK40Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 400V 3A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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