STP5NK60Z

STP5NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）额定值与优化的动态特性之间的平衡，为离线式电源应用提供了高可靠性的开关解决方案。

其关键电气参数包括：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值为1.6欧姆（@2.5A），有助于降低传导损耗；最大栅极电荷（Qg）仅为34nC（@10V），配合690pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，从而降低开关损耗。器件采用TO-220AB封装，在壳温条件下支持5A的连续漏极电流和90W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。

• 型号:STP5NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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