STP5NK60ZFP

STP5NK60ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心电气规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和5A的连续漏极电流（I_D），为高压应用提供了坚实的耐压基础。

其技术亮点在于实现了优异的导通性能与开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为1.6欧姆（@2.5A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_g，最大值34nC）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机控制和照明系统等高效功率转换设计的优选器件。

• 型号:STP5NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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