STP5NK65ZFP

STP5NK65ZFP是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于650V的高漏源电压（Vdss）额定值与优化的动态参数相结合，导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下最大为1.8欧姆，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC，这共同保障了器件在高电压应用中兼具低导通损耗与快速的开关性能。

该器件在25°C壳温下可承受4.5A的连续漏极电流，最大功率耗散为25W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了良好的热性能和运行可靠性。其4.5V的最大栅极阈值电压（Vgs(th)）便于驱动，±30V的Vgs最大值提供了安全的驱动裕度。这些特性使其成为离线式电源、功率因数校正和电子镇流器等高压开关应用的经典选择。

• 型号:STP5NK65ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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