STP5NK80ZFP技术参数详情：
STP5NK80ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源击穿电压与低至2.4欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗，提升系统效率。
其电气参数设计均衡，最大栅极电荷（Qg）为45.5nC，有利于实现快速开关并控制开关损耗。器件采用TO-220FP通孔封装，在壳温条件下支持4.3A的连续漏极电流和30W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境下的可靠性与耐用性。
- 型号:STP5NK80ZFP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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