STP5NK90Z

STP5NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件核心参数包括900V的漏源电压（V_DSS）和4.5A的连续漏极电流（I_D），具备出色的高压阻断能力。

其技术优势体现在较低的导通电阻（R_DS(on)典型值为2.5Ω @ 10V）与优化的栅极电荷（Q_g典型值为41.5nC），这共同保障了高效的功率传输与快速的开关速度。器件采用TO-220AB封装，最大功率耗散为125W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对可靠性和热管理有较高要求的工业级应用场景。

• 型号:STP5NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 4.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 2.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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