STP60NF06

STP60NF06是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件设计用于提供高效的功率开关解决方案，其核心优势在于优异的导通与开关特性平衡。

该MOSFET具备60V的漏源电压（Vdss）和高达60A（Tc）的连续漏极电流处理能力。其关键卖点在于极低的导通电阻，在10V Vgs、30A Id条件下典型值仅为16mΩ，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为73nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统整体效率。

器件采用坚固的TO-220AB通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为110W（Tc），确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性和稳定性。

• 型号:STP60NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1660 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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