STP62NS04Z技术参数详情：
STP62NS04Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于MESH OVERLAY产品系列，采用TO-220AB通孔封装。该器件核心优势在于其33V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了高达62A（Tc）的连续漏极电流承载能力，并结合了极低的导通电阻（典型值15mΩ @ 30A, 10V），能显著降低功率应用中的传导损耗。
此外，其优化的动态参数，如最大47nC的栅极电荷（Qg @ 10V），有助于提升开关速度并降低驱动损耗。器件支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为110W（Tc），确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换器等应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STP62NS04Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 33V 62A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:33 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:箝位
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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