STP6N65M2技术参数详情：
STP6N65M2是ST意法半导体基于MDmesh技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心电气参数包括650V的漏源击穿电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其动态性能的优化。在10V驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值为1.35欧姆，同时栅极电荷（Qg）典型值低至9.8nC，这种组合有效兼顾了传导损耗与开关损耗，有助于提升整体系统效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也确保了在苛刻环境下的稳定运行。
- 型号:STP6N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:226 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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