STP6NK60Z

STP6NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和6A的连续漏极电流（I_D），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）表现优异，有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_G）有助于提升开关速度，减少开关损耗，从而提升系统整体效率。器件结温范围覆盖-55°C至150°C，并具备110W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的工作可靠性。

• 型号:STP6NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
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