STP6NK90ZFP技术参数详情：
STP6NK90ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装，属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其高达900V的漏源击穿电压（Vdss）与5.8A的连续漏极电流能力，为高压应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于通过优化的结构实现了低导通电阻（典型2Ω @ 10V）与低栅极电荷（最大60.5nC）的结合，这直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，有助于提升系统整体效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，并具备±30V的栅极耐压，确保了在恶劣环境下的稳定性和驱动可靠性。
- 型号:STP6NK90ZFP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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