STP70N10F4技术参数详情：
STP70N10F4是ST意法半导体基于STripFET和DeepGATE技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。其核心电气参数定义了强大的性能基础：100V的漏源电压（Vdss）和高达65A（Tc）的连续漏极电流处理能力，使其能够胜任中高功率场景。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性与开关性能平衡。在10V Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为19.5毫欧（@30A），有效降低了传导损耗。同时，最大85nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升系统效率。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为150W（Tc），确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STP70N10F4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO220-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP70N10F4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
