STP70NF03L技术参数详情：
STP70NF03L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用TO-220AB封装。其核心优势在于针对低压大电流开关应用进行了优化，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，提供了高达70A（Tc）的连续电流处理能力。
该器件的关键性能参数突出表现为极低的导通损耗与出色的开关特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下最大值仅为9.5毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值低至30nC @ 5V。这一组合确保了在高频开关电源和电机驱动等应用中，能够同时实现高效的功率传输与快速的开关速度，从而提升整体系统能效与功率密度。
- 型号:STP70NF03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 70A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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