STP75N20技术参数详情：
STP75N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件基于STripFET技术，核心优势在于其200V的漏源电压（Vdss）和高达75A（Tc）的连续漏极电流处理能力，能够胜任中高功率场景的开关需求。
其技术参数突出高效与可靠特性，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为34毫欧（@37A），有效降低了导通损耗。同时，84nC的栅极电荷（Qg）和3260pF的输入电容（Ciss）有助于实现快速的开关速度，提升整体能效。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温，最大功率耗散为190W（Tc），确保了在 demanding 环境下的稳定运行。
- 型号:STP75N20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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