STP75N75F4

STP75N75F4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于结合了STripFET和DeepGATE技术，实现了低至11毫欧的导通电阻（@10V V_GS, 39A），能够显著降低导通状态下的功率损耗。

该器件具备75V的漏源电压和高达78A的连续漏极电流处理能力，适用于中高功率应用。其栅极电荷（Q_g）为76nC，有助于实现高效的开关操作并优化驱动设计。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和150W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STP75N75F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 78A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 39A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5015 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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