STP75NF75FP

STP75NF75FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与低导通电阻的完美结合。

其关键电气参数包括75V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为11毫欧（@40A），这显著降低了传导损耗，提升了系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）典型值较低，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。

该器件设计稳健，栅源电压（Vgs）可承受±20V，工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为45W（Tc），确保了在严苛环境下的可靠运行，适用于要求高效率和高可靠性的功率开关场景。

• 型号:STP75NF75FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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